[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-16] Si基板上GaN縦型デバイスにおける電気特性のドリフト層成長時のV/Ⅲ比依存性

〇浜田 武明¹、浦山 雄也¹、間瀬 駿¹、中村 圭輔¹、江川 孝志¹ (1.名工大院)

キーワード：半導体、結晶成長、GaN縦型デバイス