[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-17] Si基板上縦型GaN p-nダイオードの試作

〇間瀬 駿¹、浦山 雄也¹、浜田 武明¹、江川 孝志¹ (1.名古屋工業大学)

キーワード：窒化ガリウム、ダイオード、シリコン基板

横型構造が主流であるSi基板上GaN系デバイスにおいて、導電性のSi基板及びバッファ層を用いることで基板転写やエッチングによる疑似縦型構造を用いない純粋な縦型構造デバイスを実現した。今回この縦型化の技術を用いp-nダイオードの作製及び評価を行った。室温でのI-V特性からオン抵抗5.3 mΩ·cm²、破壊電圧311 Vであり、パワーデバイスの性能指数であるバリガ指数は18.3 MW/cm²であった。