[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-19] Si基板上AlNの縦方向リーク電流とAlN層中転位種の関係

〇山岡 優哉^1,2、各務 憲²、生方 映徳¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、江川 孝志² (1.大陽日酸、2.名工大)

キーワード：Si基板上AlGaN/GaN HEMT、縦方向リーク電流、Si基板上AlN

我々はSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流とHEMT構造中の各層の結晶品質との関係を調査している。これまでの研究において、KOH水溶液にてエッチングした初期AlN層の縦方向リーク電流を電流AFMにて測定した結果、らせん転位が縦方向リーク電流の起源であることを示唆した。本研究では、Si基板上AlNの縦方向リーク電流と電極内の転位数との関係を調査した。その結果、大きさが0.5ミクロン以上のエッチピットを形成するらせん転位が縦方向リークの起源であることがわかった。