[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-19] The relationship between the vertical-direction leakage current of AlN on Si substrate and the type of dislocation in AlN layer

〇yuya yamaoka^1,2, Ken Kakamu², Akinori Ubukata¹, Yoshiki Yano¹, Toshiya Tabuchi¹, Koh Matsumoto¹, Takashi Egawa² (1.Taiyo Nippon Sanso Corp., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate, Vertical-direction leakage current, AlN on Si substrate

我々はSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流とHEMT構造中の各層の結晶品質との関係を調査している。これまでの研究において、KOH水溶液にてエッチングした初期AlN層の縦方向リーク電流を電流AFMにて測定した結果、らせん転位が縦方向リーク電流の起源であることを示唆した。本研究では、Si基板上AlNの縦方向リーク電流と電極内の転位数との関係を調査した。その結果、大きさが0.5ミクロン以上のエッチピットを形成するらせん転位が縦方向リークの起源であることがわかった。