[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-24] Down Converter using GaN Polarization Super Junction (PSJ) Devices on Sapphire

〇Yusuke Kamiyama¹, Shoko Hirata¹, Takeru Saito¹, Fumihiko Nakamura¹, Shuichi Yagi¹, Hiroji Kawai¹, Atsushi Tanaka³, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano^2,3 (1.POWDEC, 2.Nagoya Univ., 3.CIRFE)

Keywords:FET, GaN, Converter

サファイア基板上の分極超接合（PSJ）方式を用いたGaN-PSJ FETとGaN-PSJダイオードを試作し、これらを用いたダウンコンバータ回路の試作と評価を実施した。その結果、電流コラプス等による異常動作無く1kVから12Vへの降圧動作を確認した。これよりGaN-PSJ素子は、スイッチング電圧1 kVを越える高電圧のアプリケーション領域に於いて適用可能であることを示した。