[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-26] Si基板上GaAs/GaNヘテロ接合の縦方向電気特性評価（2）

〇山條 翔二¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市大工)

キーワード：表面活性化ボンディング、ガリウムヒ素、窒化ガリウム

表面活性化ボンディング（SAB)法は、基板同士を直接接合する方法であり、異種材料間での接合形成が可能な接合方法である。我々は、SAB法を用いてGaAs/GaN接合の作製とその評価を行ってきた。以前我々は、GaAs/i-GaN 接合を作製し電流―電圧特性から界面の障壁について評価を行った。今回、我々はGaAs/n-GaN 接合を作製し、容量―電圧（C-V）特性から界面の障壁についての評価を行った。