[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-27] InSb/Ga_0.35In_0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価

〇(B)岩木 拓也¹、原田 義彬¹、竹内 淳¹、藤川 紗千恵¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、MBE