[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [16a-P4-28] Influence of slant field plates on electron velocity in InGaAs-HEMTs

〇TOMOTAKA HOSOTANI¹, Taiichi Otsuji¹, Tetsuya Suemitsu¹ (1.RIEC, Tohoku Univ.)

Keywords:HEMT, InGaAs, field plate

InGaAs系HEMTは高速デバイスとして注目されているが、狭いバンドギャップからデバイスの耐圧は低い。一方、ゲート電極に傾斜型フィールドプレート(FP)を導入し、デバイスのドレイン-ソース耐圧を高める手法が報告されているが、電流利得遮断周波数(fT)は低下してしまう。本発表では、FPを有するInGaAs系HEMTについて遅延時間解析を行い、真性遅延時間から電子速度を抽出し、フィールドプレートが電子速度に与える影響について報告する。