[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-29] ゲート金属残留応力がGaN HEMTの電気的特性に与える影響
－ TCADシミュレーションによる検討 －

〇大石 敏之¹、山口 裕太郎²、山中 宏治² (1.佐賀大工、2.三菱電機情報総研)

キーワード：GaN HEMT