[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-9] 堆積前処理がSiO₂/n-GaN界面特性に与える影響

〇赤野 拓哉¹、上沼 睦典¹、冨永 雄太¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：パワーデバイス