[16p-411-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

△ [16p-411-2] 電界印加下における正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜の結晶構造の時間応答

〇(M1)佐藤 智也¹、一ノ瀬 大地¹、三村 和仙¹、根本 祐一¹、清水 荘雄¹、今井 康彦²、内田 寛³、坂田 修身⁴、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.JASRI、3.上智大、4.NIMS/SPring-8)

キーワード：PZT、電界下、時間応答

従来の圧電体の研究では、主に成膜直後の結晶構造解析から分極後の圧電特性が議論されてきたが、圧電性の起源の解明には電界印加下の結晶構造解析が重要である。本研究では、異なるパルス幅の電界を印加した際の結晶構造変化を時間分解のXRD測定により解析し、マクロに測定した圧電特性との比較を行った。