[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-1] 等電子トラップ技術による相補型TFET回路の特性向上

〇森 貴洋¹、浅井 栄大¹、服部 淳一¹、福田 浩一¹、大塚 慎太郎¹、森田 行則¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、右田 真司¹、水林 亘¹、太田 裕之¹、松川 貴¹ (1.産総研)

キーワード：トンネルトランジスタ、相補型回路

トンネルトランジスタ（TFET）の課題は低いオン電流である。特にシリコンを用いると、間接遷移型半導体であるためトンネル確率が低く不利である。解決策として、我々は等電子トラップ（IET）による確率増大方法を提案、N型TFETにおいて実証した。今回P型TFETでも確率増大を実現、更にインバータとリングオシレータの２種の相補型TFET集積回路を試作、IETによる特性向上に成功したのでこれを報告する。