[16p-412-1~20] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[16p-412-17] High-mobility and H₂-anneal Tolerant InGaSiO/InGaZnO/InGaSiO Double Hetero Channel Thin Film Transistor for Si-LSI Compatible Process

〇Nobuyoshi Saito¹, Kentaro Miura¹, Tomomasa Ueda¹, Tsutomu Tezuka¹, Keiji Ikeda¹ (1.Toshiba corporation)

Keywords:Oxide semiconductor

酸化物半導体の水素アニール耐性改善のために、各構成元素と酸素の結合解離エネルギーに着目し、InGaZnOのZnをSiで置換した新規材料InGaSiOの検討を行った。さらに水素アニール耐性改善と高移動度化の両立を実現するため、InGaZnOとのダブルヘテロチャネルTFTを試作・評価した結果を報告する。