[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-17] InGaSiO/InGaZnO/InGaSiOダブルヘテロチャネルによる酸化物半導体TFTの水素アニール耐性改善と高移動度化の両立

〇斉藤 信美¹、三浦 健太郎¹、上田 知正¹、手塚 勉¹、池田 圭司¹ (1.東芝 研究開発センター)

キーワード：酸化物半導体

酸化物半導体の水素アニール耐性改善のために、各構成元素と酸素の結合解離エネルギーに着目し、InGaZnOのZnをSiで置換した新規材料InGaSiOの検討を行った。さらに水素アニール耐性改善と高移動度化の両立を実現するため、InGaZnOとのダブルヘテロチャネルTFTを試作・評価した結果を報告する。