[16p-412-1~20] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

△ [16p-412-4] Threshold Voltage Definition and Its Short-Channel Effect of Lateral TFET

〇Yoshiaki Mori¹, Shingo Sato¹, Yasuhisa Omura¹, Abhijit Mallik² (1.Kansai Univ., 2.Univ. Calcutta)

Keywords:tunnel FET, short channel effect, threshold voltage

デバイスシミュレータを用いて横型 TFETの閾値状態の定義を一部見直した結果とその定義方法による短チャネル効果を議論する。チャネル長が20nm以下に縮小されたとき閾値電圧が大きく増加する。またこのときドレイン電流―ゲート電圧特性においてOFF電流も非常に大きくなることが確認された。これはチャネル長が短くなったことによりソースからドレインへと直接BTBTが可能になったことに加えて、ドレインポテンシャルの影響の拡大のためにゲートによる制御性が悪化したことも明らかとなった。後者は、従来型MOSFETにおける短チャネル効果の特徴とよく似ている。