[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [16p-412-4] 横型Tunnel FETの閾値電圧と短チャネル効果の考察

〇森 義暁¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹、マリク アブヒジット² (1.関西大学大学院、2.カルカッタ大学)

キーワード：トンネルFET、短チャネル効果、閾値電圧

デバイスシミュレータを用いて横型 TFETの閾値状態の定義を一部見直した結果とその定義方法による短チャネル効果を議論する。チャネル長が20nm以下に縮小されたとき閾値電圧が大きく増加する。またこのときドレイン電流―ゲート電圧特性においてOFF電流も非常に大きくなることが確認された。これはチャネル長が短くなったことによりソースからドレインへと直接BTBTが可能になったことに加えて、ドレインポテンシャルの影響の拡大のためにゲートによる制御性が悪化したことも明らかとなった。後者は、従来型MOSFETにおける短チャネル効果の特徴とよく似ている。