[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-9] 低加速BF₂イオン注入を用いたGeOI TFETのオン電流の向上

〇加藤 巧¹、松村 亮^1,2、高口 遼太郎¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大学、2.学振特別研究員)

キーワード：トンネルFET、ゲルマニウム、二フッ化ホウ素

GeOI (Ge-On-Insulator) TFETは高いON電流や急峻なサブスレッショルドスロープが期待されている。ソースの不純物の濃度を上げ分布を急峻にすることでトンネル距離が低減しGeOI TFETのOn電流が向上することが示唆されている。本研究ではエネルギーを変えBF₂イオン注入を用い6 nm/decの急峻なB分布を実現した。この手法により作製したGeOI TFETはBイオン注入のTFETと比較し の約10倍のオン電流と、30％のSS値改善を確認した。