講演情報

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 14:00 〜 17:00 413 (413)

入沢寿史(産総研)、高木信一(東大)

15:00 〜 15:15

▼ [16p-413-5] Relationship between initial properties and reliability of Ge gate stacks

〇(D)Tang Xiaoyu^1,2、Toriumi Akira¹ (1.Univ. of Tokyo、2.Nanjing Univ.)

キーワード：Germanium, Oxide reliability