[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[16p-413-9] 有機金属化学気相成長法を用いて作製したGe_1-xSn_xゲートスタック構造の欠陥物性評価

〇金田 裕一¹、池 進一^1,2、兼松 正行¹、坂下 満男¹、竹内 和歌奈¹、中塚 理¹、財満 鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)

キーワード：半導体、ゲートスタック、GeSnチャネル