[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-1] Siパワーデバイスプロセス技術

〇岩室 憲幸¹ (1.筑波大 数理物質)

キーワード：パワー半導体デバイス、ウェハプロセス、実装技術

パワー半導体デバイスで最も権威ある国際学会「ISPSD」での動向をみると、近年SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）関連の発表が目立つものの、シリコン（Si）パワーMOSFETやIGBTの発表も依然堅調に推移している。本報では、特に最近進展の著しいIGBTを支える最新のSiパワーデバイスプロセス技術について解説する。