[16p-502-1~10] Process technology for advanced power semiconductor devices

[16p-502-2] Technology Trend of Device and Process for SiC Power Devices

〇Hirokazu Asahara¹ (1.Rohm)

Keywords:semiconductor, power device, SiC

炭化珪素（SiC）は、絶縁破壊電界強度、高温動作性、熱伝導性などの材料物性がSiに比べて優れた特性を有しており、SiCデバイスは従来のSiデバイスに比べ高耐圧・低損失なパワーデバイスとして、大幅な省エネルギー化と機器の小型・軽量化に期待されている。そして、近年、太陽光発電や電車などへの本格的な実用化が始まり、今後は2020年頃の自動車への本格採用が期待されている。
本公演では、SiC半導体の特徴と、SiCパワーデバイス発展の歴史を簡単に振返った後、現在進められている最新のデバイス開発とそのプロセス技術の開発動向を紹介する。