[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-1] 飽和オゾン水処理と酸化膜エッチングによる
InGaN/GaN系ナノ構造の精密エッチング

〇小川 航平¹、石嶋 駿¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、水谷 友哉¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：窒化ガリウム、ナノ構造、エッチング

飽和オゾン水(SOW)による表面酸化膜(Ga₂O₃)の形成とバッファード弗酸による酸化膜エッチング(BOE)を組み合わせた窒化物半導体ナノ構造の精密エッチングの可能性について検討を行った。