[16p-503-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-503-11] Fabrication of InGaN/GaN Nanowires by Thermal Decomposition

〇Munetaka Arita¹, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.NanoQunie, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo)

Keywords:nanowires, quantum dots

熱分解法を用いてInGaN/GaNナノワイヤを作製し構造・光学評価を行った。GaNをNH₃/H₂混合雰囲気中でアニールすることによってナノワイヤ構造が形成できる。低温顕微フォトルミネッセンス測定において、構造に由来する輝線を確認した。InGaN量子井戸層内部に存在するIn組成ゆらぎが局在中心となっていることが予想される。