[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-11] 熱分解法によるInGaN/GaNナノワイヤの作製

〇有田 宗貴¹、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生産研)

キーワード：ナノワイヤ、量子ドット

熱分解法を用いてInGaN/GaNナノワイヤを作製し構造・光学評価を行った。GaNをNH₃/H₂混合雰囲気中でアニールすることによってナノワイヤ構造が形成できる。低温顕微フォトルミネッセンス測定において、構造に由来する輝線を確認した。InGaN量子井戸層内部に存在するIn組成ゆらぎが局在中心となっていることが予想される。