[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-14] THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気的特性測定に関する検討

〇(B)森野 健太¹、達 紘平¹、藤井 高志^1,3、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹、長島 健²、岩本 敏志³、佐藤 幸徳³ (1.立命館大、2.摂南大、3.日邦プレシジョン)

キーワード：テラヘルツエリプソメトリー、窒化インジウム、テラヘルツ時間領域分光

我々はInN薄膜についてTHz-TDSEによる電気的特性評価を行い，ホール効果測定の結果と比較した．解析により得られた自由キャリア密度，移動度及び直流抵抗率はそれぞれ1.2×10¹⁸cm^-3，1310cm²/Vs，及び3.8×10^-3Ωcmである．一方，ホール効果測定で得られた結果はそれぞれ2.2×10¹⁸cm^-3，980cm²/Vs，2.9×10^-3Ωcmである．