[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-3] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による位置制御された極微細InGaN/GaN量子井戸ナノピラーの作製と評価

〇(B)生江 祐介¹、水谷 友哉¹、石嶋 駿¹、小川 航平¹、松岡 明裕¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：半導体、ナノ構造、エッチング

我々は低圧水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応に着目し、低加工損傷での極微細加工が期待される水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法の研究を行っている。これまでに、HEATE法のエッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。HEATE法ではSiO₂をマスクとしてエッチングを行うが、長時間のエッチングを行うとマスク下でのオーバーエッチングを利用したマスクサイズ以下の微細構造を形成することができる。本報告では、オーバーエッチングを用いて位置制御された単一の極微細InGaN/GaNナノピラー構造を作製したので報告する。