2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:00 503 (503)

小島 一信(東北大)、関口 寛人(豊橋技科大)、菊池 昭彦(上智大)

16:00 〜 16:15

[16p-503-9] シリコンおよびサファイア基板上への規則配列GaNナノコラムの作製

東 幸幹1、関口 寛人1、山根 啓輔1、岡田 浩2,1、若原 昭浩1、岸野 克巳3 (1.豊橋技科大工、2.EIIRIS、3.上智大理工)

キーワード:GaNナノコラム、規則配列、窒化アルミニウム