[16p-B5-1~15] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-B5-14] Effect of Chalcogen Doping in Copper Iodide

〇(D)Satoshi Koyasu¹, Akira Yamaguchi¹, Naoto Umezawa², Masahiro Miyauchi¹ (1.Tokyo Tech., 2.NIMS)

Keywords:semiconductor, density function theory, defect

ヨウ化銅はp型のワイドギャップ半導体であり、近年では急速にエネルギー変換効率を向上させているペロブスカイト太陽電池のホール輸送層として注目されている。ヨウ化銅の抵抗率をドーピングによって下げることが出来ればより太陽電池の内部抵抗が減少し効率が向上することが期待される。そこでヨウ化銅に対するカルコゲン元素のドーピングの影響を調べるために、DFT計算を用いてドーパントの欠陥生成エネルギーを計算し、その値からフェルミ準位の計算を行った。