[16p-B5-1~15] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-B5-14] ヨウ化銅へのカルコゲン元素ドーピングの影響

〇(D)小安 智士¹、山口 晃¹、梅澤 直人²、宮内 雅浩¹ (1.東工大、2.NIMS)

キーワード：半導体、密度汎関数法、欠陥

ヨウ化銅はp型のワイドギャップ半導体であり、近年では急速にエネルギー変換効率を向上させているペロブスカイト太陽電池のホール輸送層として注目されている。ヨウ化銅の抵抗率をドーピングによって下げることが出来ればより太陽電池の内部抵抗が減少し効率が向上することが期待される。そこでヨウ化銅に対するカルコゲン元素のドーピングの影響を調べるために、DFT計算を用いてドーパントの欠陥生成エネルギーを計算し、その値からフェルミ準位の計算を行った。