2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[16p-B6-1~16] 17.2 グラフェン

2017年3月16日(木) 13:30 〜 17:45 B6 (B6)

乗松 航(名大)、藤井 健志(富士電機)

16:15 〜 16:30

[16p-B6-11] フッ素修飾グラフェンナノリボンのボトムアップ合成中のフッ素脱離メカニズム

實宝 秀幸1,2、山口 淳一1,2、佐藤 信太郎1,2、林 宏暢3、山田 容子3、大淵 真理1,2 (1.富士通、2.富士通研、3.奈良先端大)

キーワード:グラフェンナノリボン、第一原理計算

ボトムアップ手法を用いてグラフェンナノリボン(GNR)エッジのフッ素修飾を試みた。
しかし、実際に合成されたGNRエッジにはフッ素は存在せず、合成途中の反応プロセスで脱離していることがわかった。フッ素脱離のメカニズムを調べる第一原理計算も行い、合成プロセス中にエッジのフッ素原子が金属基板に脱離しうることを示した。
以上の結果から、エッジ修飾GNRを実現するための前駆体設計の指針を得ることができた。