[16p-E206-1~17] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-E206-16] Tolerance for Single Event Effects of Tunnel FET CMOS Inverter Circuit

〇Yan Wu¹, Yuseke Wada¹, Yuta Iwanami¹, Junichi Kanayama¹, Yoshihiro Takahashi¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Tunnel FET, Irradiation hardden, Single event effect

半導体デバイスに対して高エネルギー荷電粒子照射によって過渡電流が発生し誤動作が引き起こされるシングルイベント効果に対して、TFETはpin構造のため、一方向のポテンシャル傾きを持ち、照射により発生した電子と正孔が速やかにSource/Drainに収集されるため、寄生バイポーラ効果の抑制が期待される。今回は従来型MOSFET及びTFETによって構成されたCMOSインバータ回路にてnMOSに重イオンが照射されたときの挙動について検討した。