一般セッション(ポスター講演)

[15p-P12-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 P12 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 18:00

[15p-P12-1] 疑似太陽光照射による単結晶Si基板のキャリア移動度変化

〇立神秀弥¹、髙内健二郎¹、德田直樹¹、鈴木秀俊¹、碇哲雄¹、西岡賢祐¹、福山敦彦¹ (1.宮崎大工)

16:00 〜 18:00

[15p-P12-2] Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性

〇高磊¹、池田弥央¹、山田健太郎¹、牧原克典¹、大田晃生¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

16:00 〜 18:00

[15p-P12-3] 第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Si界面における酸素空孔欠陥に起因したリーク電流の評価

〇(M1)高木謙介¹、小野倫也^1,2 (1.筑波大数理物質科学、2.筑波大計算科学研究セ)

一般セッション(口頭講演)

[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:30 E206 (E206)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)、蓮沼隆(筑波大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

[16p-E206-1] PFAボトルの金属吸着を利用した純水中超微量金属分析

〇中津正人¹ (1.三重富士通ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ)

14:00 〜 14:15

[16p-E206-2] 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析（２）

〇大井上昂志¹、齋藤卓²、奥山敦²、萩本賢哉²、岩元勇人² (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

14:15 〜 14:30

△ [16p-E206-3] チオ硫酸ナトリウムを添加したフッ酸で処理したGe(111)表面の構造評価

〇藤島優介¹、鈴木仁¹、坂上弘之¹ (1.広大先端研)

14:30 〜 14:45

[16p-E206-4] Ar/H₂熱処理を用いたSi基板平坦化の水素濃度依存性とデバイス応用

〇塚崎真弘¹、工藤聡也¹、大見俊一郎¹ (1.東工大工)

14:45 〜 15:00

△ [16p-E206-5] Si(100)表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上

〇(DC)工藤聡也¹、塚崎真弘¹、大見俊一郎¹ (1.東工大)

15:15 〜 15:30

△ [16p-E206-6] 低照射線量率下のSiO₂/Si界面準位生成量に与える膜中SiH基量の影響

〇東口紳太郎^1,2、牧野高紘³、大島武³、小林大輔²、廣瀬和之^1,2 (1.東大院、2.JAXA宇宙研、3.QST高崎量研)

15:30 〜 15:45

△ [16p-E206-7] X線照射によるSiO2表面帯電の自発的補償機構の解明に向けた試料電流測定

〇張江貴大^1,2、小林大輔²、山本知之¹、廣瀬和之^1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)

15:45 〜 16:00

[16p-E206-8] 角度分解光電子分光を用いたサブバンド測定によるイオン打ち込み Si(001) の反転層ポテンシャル勾配及び活性ドーパント濃度の評価

〇比嘉友大¹、武田さくら¹、江波戸達哉¹、米田允俊¹、藤中秋穂¹、森田一帆¹、森本夏輝¹、 Ang Artoni Kevin¹、大門寛¹、筒井一生² (1.奈良先端科学技術大学院大学、2.東京工業大学)

16:00 〜 16:15

[16p-E206-9] 硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価

〇中島裕太¹、竹内大智^1,2、牧原克典¹、大田晃生¹、池田弥央¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.学振特別研究員)

16:15 〜 16:30

△ [16p-E206-10] ラマン分光法を用いたトレンチ近傍の異方性2軸応力評価

〇鈴木貴博¹、横川凌¹、大麻浩平²、西脇達也²、浜本毅司²、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.(株)東芝)

16:30 〜 16:45

[16p-E206-11] Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価

〇山田健太郎¹、牧原克典¹、池田弥央¹、大田晃生¹、宮崎誠一¹ (1.名大工)

17:00 〜 17:15

[16p-E206-12] 分子動力学・有限要素法を用いた半導体デバイスの微細パターン座屈解析

〇輿石健二¹、齋藤玲子¹、伊藤祥代¹、田村陽平²、今泉俊介²、高本聡²、泉聡志² (1.東芝、2.東京大院工)

17:15 〜 17:30

[16p-E206-13] センサ・アレイのシミュレーションに向けた領域分割法の検討

〇松澤一也¹、田中貴久^1,2、内田建^1,2 (1.慶大TRDEC、2.慶大電子工)

17:30 〜 17:45

△ [16p-E206-14] 量子補正ボルツマン輸送方程式によるGeおよびSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析

〇田中一¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

17:45 〜 18:00

[16p-E206-15] 負性容量トランジスタにおける短チャネル効果のデバイスシミュレーションによる予測

〇服部淳一¹、福田浩一¹、池上努¹、太田裕之¹、右田真司¹、鳥海明² (1.産総研、2.東大院工)

18:00 〜 18:15

[16p-E206-16] トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性

〇呉研¹、和田雄友¹、岩波悠太¹、金山純一¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

18:15 〜 18:30

△ [16p-E206-17] 非平衡グリーン関数法を用いた１次元ナノ構造の熱電特性解析

〇(B)梶原祐磨¹、森伸也¹ (1.阪大工)

セッション一覧

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-P12-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-P12-1] 疑似太陽光照射による単結晶Si基板のキャリア移動度変化

[15p-P12-2] Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性

[15p-P12-3] 第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Si界面における酸素空孔欠陥に起因したリーク電流の評価

[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-1] PFAボトルの金属吸着を利用した純水中超微量金属分析

[16p-E206-2] 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析（２）

△ [16p-E206-3] チオ硫酸ナトリウムを添加したフッ酸で処理したGe(111)表面の構造評価

[16p-E206-4] Ar/H₂熱処理を用いたSi基板平坦化の水素濃度依存性とデバイス応用

△ [16p-E206-5] Si(100)表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上

△ [16p-E206-6] 低照射線量率下のSiO₂/Si界面準位生成量に与える膜中SiH基量の影響

△ [16p-E206-7] X線照射によるSiO2表面帯電の自発的補償機構の解明に向けた試料電流測定

[16p-E206-8] 角度分解光電子分光を用いたサブバンド測定によるイオン打ち込み Si(001) の反転層ポテンシャル勾配及び活性ドーパント濃度の評価

[16p-E206-9] 硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価

△ [16p-E206-10] ラマン分光法を用いたトレンチ近傍の異方性2軸応力評価

[16p-E206-11] Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価

[16p-E206-12] 分子動力学・有限要素法を用いた半導体デバイスの微細パターン座屈解析

[16p-E206-13] センサ・アレイのシミュレーションに向けた領域分割法の検討

△ [16p-E206-14] 量子補正ボルツマン輸送方程式によるGeおよびSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析

[16p-E206-15] 負性容量トランジスタにおける短チャネル効果のデバイスシミュレーションによる予測

[16p-E206-16] トンネルFET ベースCMOS回路のシングルイベント耐性

△ [16p-E206-17] 非平衡グリーン関数法を用いた１次元ナノ構造の熱電特性解析

認証

セッション一覧

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-P12-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [16p-E206-3] チオ硫酸ナトリウムを添加したフッ酸で処理したGe(111)表面の構造評価

△ [16p-E206-5] Si(100)表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上

△ [16p-E206-6] 低照射線量率下のSiO2/Si界面準位生成量に与える膜中SiH基量の影響

△ [16p-E206-7] X線照射によるSiO2表面帯電の自発的補償機構の解明に向けた試料電流測定

△ [16p-E206-10] ラマン分光法を用いたトレンチ近傍の異方性2軸応力評価

△ [16p-E206-14] 量子補正ボルツマン輸送方程式によるGeおよびSiナノワイヤpMOSFETの準バリスティック正孔輸送能力の解析

△ [16p-E206-17] 非平衡グリーン関数法を用いた１次元ナノ構造の熱電特性解析

認証

△ [16p-E206-6] 低照射線量率下のSiO₂/Si界面準位生成量に与える膜中SiH基量の影響