[16p-E206-1~17] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-E206-12] Buckling analysis of fine pattern structures of a semiconductor device using molecular dynamics and finite element methods

〇Kenji Koshiishi¹, Reiko Saito¹, Sachiyo Ito¹, Yohei Tamura², Shunsuke Imaizumi², So Takamoto², Satosh Izumi² (1.TOSHIBA, 2.Tokyo Univ.)

Keywords:Molecular Dynamics Method, Finite Element Method

半導体デバイスの微細化に伴い顕在化しているパターン加工時の座屈変形不良に対し、古典分子動力学と有限要素法を用いて座屈発生挙動を調査した。アモルファスSi (a-Si)をマスク材として用いた加工工程を対象とし，a-Siのエッチング時の表面酸化に伴う応力発生を古典分子動力学法を用いて解析する．得られた表面応力を有限要素法を用いた座屈解析に反映させることで，エッチング選択比・酸化膜厚に対する座屈強度を評価した．