[16p-E206-1~17] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-E206-2] Behavior analysis of Si etching process with the HF/HNO₃ mixture by single spin wafer processor (2)

〇Takashi Oinoue¹, Suguru Saito², Atsushi Okuyama², Yoshiya Hagimoto², Hayato Iwamoto² (1.Sony Semiconductor Manufacturing, 2.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:single, HF/HNO3, Si etch

これまでに、枚葉スピン方式において、フッ硝酸濃度に依存して基板面内のエッチング分布が大きく変わることを報告した。濃度に依存した変化が大きい基板中心部について詳細に調査したところ、HNO₃濃度66%近傍からSiエッチレートが急激に変化することが判明した。当該濃度近傍においてSiの表面状態に変化が起きていると推測し、表面分析およびメカニズム考察を行ったので報告する。