[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-4] Ar/H₂熱処理を用いたSi基板平坦化の水素濃度依存性とデバイス応用

〇塚崎 真弘¹、工藤 聡也¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工)

キーワード：平坦化、熱処理、MISFET

これまで、我々はAr/4.9%H₂雰囲気での熱処理によるSi基板表面の平坦化に関する検討を行い、平坦化によりMISFETの電気特性が向上することを報告した。今回、Si(100)基板の熱処理平坦化について、熱処理雰囲気の水素濃度依存性に関する検討を行ったので報告する。