[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [16p-E206-6] 低照射線量率下のSiO₂/Si界面準位生成量に与える膜中SiH基量の影響

〇東口 紳太郎^1,2、牧野 高紘³、大島 武³、小林 大輔²、廣瀬 和之^1,2 (1.東大院、2.JAXA宇宙研、3.QST高崎量研)

キーワード：低線量率増感効果、トータルドーズ、界面準位密度