[16p-F203-1~15] 17.3 層状物質

[16p-F203-12] 六方晶ボロンナイトライドの経時絶縁破壊におけるランダムテレグラフノイズ

〇服部 吉晃¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、長汐 晃輔^1,3 (1.東大マテリアル、2.NIMS、3.JST-さきがけ)

キーワード：h-BN、絶縁破壊

六方晶ボロンナイトライドは二次元複層化デバイスに最適な層状絶縁基板であると認識されている．本研究では，面に垂直方向な一定電界をh-BNに与え，絶縁破壊前の電流の経時変化を測定し，電気的な劣化のメカニズムを理解することを目的とした．h-BNは絶縁破壊電界の75 ％程度の電界において１時間を超えるストレス耐性を示し，さらに計測された電流は階段状に変化する複合ランダムテレグラフシグナルであった．