[16p-F203-1~15] 17.3 Layered materials

[16p-F203-6] Stabilities and Electronic Structure of Vacancies in MoS₂/MoS₂ and MoS₂/MoSe₂

〇Syu Urasaki¹, Hiroyuki Kageshima¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:MoS2, vacancy, first principles calculations

MoS₂,MoSe₂上の単層MoS₂における原子空孔の電子状態を第一原理計算により解析した。系の総電子数を変えた計算をそれぞれ行い、デバイスの製造プロセス中に起こりうる局所的な帯電を再現した。MoS₂, MoSe₂どちらに乗せた場合でも、負の帯電により空孔の形成エネルギーは減少し、その発生確率が上がった。さらにsulfur vacancy(V_S, V_S2)の発生確率は、MoSe₂に乗せた場合が最も低かった。当日は、形成エネルギー以外のより詳細な物性についても議論を行う。