2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[16p-F203-1~15] 17.3 層状物質

2017年3月16日(木) 13:45 〜 18:00 F203 (F203)

上野 啓司(埼玉大)、前橋 兼三(農工大)

15:15 〜 15:30

[16p-F203-6] MoS2/MoS2, MoS2/MoSe2における原子空孔の安定性と電子状態

浦崎 柊1、影島 博之1 (1.島根大院総合理工)

キーワード:MoS2、空孔、第一原理計算

MoS2,MoSe2上の単層MoS2における原子空孔の電子状態を第一原理計算により解析した。系の総電子数を変えた計算をそれぞれ行い、デバイスの製造プロセス中に起こりうる局所的な帯電を再現した。MoS2, MoSe2どちらに乗せた場合でも、負の帯電により空孔の形成エネルギーは減少し、その発生確率が上がった。さらにsulfur vacancy(VS, VS2)の発生確率は、MoSe2に乗せた場合が最も低かった。当日は、形成エネルギー以外のより詳細な物性についても議論を行う。