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[16p-F203-6] MoS2/MoS2, MoS2/MoSe2における原子空孔の安定性と電子状態
キーワード:MoS2、空孔、第一原理計算
MoS2,MoSe2上の単層MoS2における原子空孔の電子状態を第一原理計算により解析した。系の総電子数を変えた計算をそれぞれ行い、デバイスの製造プロセス中に起こりうる局所的な帯電を再現した。MoS2, MoSe2どちらに乗せた場合でも、負の帯電により空孔の形成エネルギーは減少し、その発生確率が上がった。さらにsulfur vacancy(VS, VS2)の発生確率は、MoSe2に乗せた場合が最も低かった。当日は、形成エネルギー以外のより詳細な物性についても議論を行う。