[16p-P16-1~7] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[16p-P16-6] Siナノワイヤ熱電デバイスの発電特性に与えるAlN熱伝導膜の結晶性の影響

〇(B)大和 亮¹、橋本 修一郎¹、麻田 修平¹、徐 泰宇¹、大場 俊輔¹、姫田 悠矢¹、松川 貴²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：熱電発電、Si ナノワイヤ、窒化アルミニウム

IoT推進に伴い微小環境熱から電気エナジーを取り出す熱電デバイスの需要が高まっている。Siナノワイヤは高い電気伝導率と低い熱伝導率を有するデバイス材料であり、CMOSコンパチで作成可能な安価な熱電デバイスが期待されている。発電の高出力化を達成するには、寄生熱抵抗の削減が重要となる。今回、熱伝導率が高くSiと親和性が高いAlN薄膜を異なる方法で成膜した熱電デバイスを作製し、AlN結晶性が熱電特性に及ぼす影響を調査した。