[16p-P3-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[16p-P3-15] 高濃度P⁺ダイヤモンドエピ膜の結晶歪と欠陥評価

〇(M1)山口 浩司¹、土田 有記¹、田淵 裕基¹、大谷 昇¹、鹿田 真一¹ (1.関学大理工)

キーワード：ダイヤモンド、X線トポグラフィー、半導体

私は絶縁性HPHT結晶上にエピ成長したp+層に関して結晶歪、転位欠陥について検討を行った。用いた試料は、Ⅰb型HPHT結晶(3×3mm²)を基板とし、その上にp+を2μm、HFCVD法で成長したものである。測定方法は、X線を用いたロッキングカーブ、逆格子空間マッピング、SR光によるトポグラフィ、RAMAN分光法などを用いて結晶評価を行った。結果として規則性(2.43μm×n)を持った欠陥が、<110><-110>系のすべり方向ではなく<100>投影方向に生じていることが確認できた。