[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-14] プラズマ支援分子線堆積法によるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (2)

〇村中 司¹、中山 智矢¹、中島 伸¹、岡島 康介¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大院総研)

キーワード：透明導電膜、ガリウム添加酸化亜鉛

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いて各種フレキシブル基板上へのガリウム添加酸化亜鉛(GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回は、各種フレキシブル基板に形成したGZO透明導電膜の大きな曲げ変形に伴う電気抵抗率の変化を調査した結果について報告する。