[16p-P8-1~23] 21.1 Joint Session K

[16p-P8-17] MBE Growth of Ga₂O₃ on β-Ga₂O₃ (001) Substrates

〇Yoshiaki Nakata¹, Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Shigenobu Yamakoshi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Tamura Corp.)

Keywords:Ga2O3, Oxide semiconductor, MBE

オゾン(O₃)を用いたMBEにより、β-Ga₂O₃(001) 基板上にGa₂O₃をMBE成長し、その成長形態について調べた。 (001)基板上では、成長温度の上昇とともに成長速度は急激に減少する。また、750℃で成長した表面からは、単分子層の表面ステップが明瞭に観察され、成長様式はステップフロー成長へと移行する。この基板上への成長においては、成長温度とともに基板の傾斜角が重要であることがわかった。