[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-17] β-Ga₂O₃ (001) 基板上へのGa₂O₃のMBE成長

〇中田 義昭¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、酸化物半導体、MBE

オゾン(O₃)を用いたMBEにより、β-Ga₂O₃(001) 基板上にGa₂O₃をMBE成長し、その成長形態について調べた。 (001)基板上では、成長温度の上昇とともに成長速度は急激に減少する。また、750℃で成長した表面からは、単分子層の表面ステップが明瞭に観察され、成長様式はステップフロー成長へと移行する。この基板上への成長においては、成長温度とともに基板の傾斜角が重要であることがわかった。