2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

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[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年3月16日(木) 13:30 〜 15:30 P8 (展示ホールB)

13:30 〜 15:30

[16p-P8-17] β-Ga2O3 (001) 基板上へのGa2O3のMBE成長

中田 義昭1、佐々木 公平2、倉又 朗人2、山腰 茂伸2、東脇 正高1 (1.情通機構、2.タムラ製作所)

キーワード:酸化ガリウム、酸化物半導体、MBE

オゾン(O3)を用いたMBEにより、β-Ga2O3(001) 基板上にGa2O3をMBE成長し、その成長形態について調べた。 (001)基板上では、成長温度の上昇とともに成長速度は急激に減少する。また、750℃で成長した表面からは、単分子層の表面ステップが明瞭に観察され、成長様式はステップフロー成長へと移行する。この基板上への成長においては、成長温度とともに基板の傾斜角が重要であることがわかった。