[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-2] パルスガス供給によるZnO結晶膜の単分子層成長制御

〇小野 翔太郎¹、齋藤 太朗¹、寛治 安井¹ (1.長岡技科大工)

キーワード：触媒反応、ZnO、パルスガス供給

触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いたCVD法によりa面サファイア基板上にc軸配向のZnO膜を成長するにあたりZn原料ガスのパルス供給による単分子層厚さの堆積制御を試みた．堆積時間を1~30分，亜鉛原料であるDMZnガス供給のパルス幅，繰り返し周波数を一定にしたところ，膜厚は堆積時間にほぼ比例して増加し，1パルス当りの堆積厚さはおよそ0.2nmとなった．このことから単分子層厚さの堆積制御が可能であると推察された．