[16p-P8-1~23] 21.1 Joint Session K

△ [16p-P8-22] Low-Temperature Fabrication of the front-gate ZnO thin-film-transistor

〇(B)Shota Katayose¹, Ryuichi Niisaka¹, Shinji Nozaki¹, Kazuo Uchida¹ (1.UEC)

Keywords:thin film transistor, UV oxidation

フレキシブルエレクトロニクスが現在注目を浴びており、薄膜トランジスタの低温作製が求められている。本研究では、紫外線酸化を活用し、ZnO薄膜を作製、その上にSOG塗布膜を用いて高品位ゲート酸化膜を作製した。極薄Alの紫外線酸化によるAl₂O₃層をZnO上に堆積することにより、ゲート酸化膜の絶縁性を高め、フロントゲートZnO薄膜トランジスタの低温作製に成功した。