[16p-P8-1~23] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-P8-9] PVD法による高ヘイズSnO₂透明導電膜の作製

〇福本 通孝¹、中尾 祥一郎²、廣瀬 靖^1,2、長谷川 哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST)

キーワード：透明導電膜、テクスチャ