[17a-211-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-211-3] a-Si:H太陽電池の局在準位評価（１） -バルク・界面欠陥の影響-

Bidiville Adrien¹、〇松井 卓矢¹、齋 均¹、松原 浩司¹ (1.産総研)

キーワード：太陽電池、アモルファスシリコン、局在準位

a-Si:H太陽電池は一般的にp-i-n構造をもつが、光吸収層であるi層には初期欠陥や光誘起欠陥、バンドテイルなどの局在準位が存在し、これらがセル特性に影響を及ぼすことが知られている。しかし、これらの局在準位が実際のデバイス内で空間的にどのように分布し、バルクや界面の局在準位がセル特性に与える影響について実験的に解明されていない。本研究では一般的な方法で作製したa-Si:Hに加え、より高光安定なa-Si:Hを光吸収層としたp-i-n型太陽電池の局在準位をセル構造で評価し、その膜厚方向の分布に関する考察をおこなった。