[17a-211-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-211-5] a-Si:H太陽電池の局在準位評価（３） -太陽電池のロス解析-

Bidiville Adrien¹、〇松井 卓矢¹、齋 均¹、松原 浩司¹ (1.産総研)

キーワード：太陽電池、アモルファスシリコン、局在準位

a-Si:H太陽電池の動作解析は実際のセルで評価した局在準位に基づいておこなうことがより効果的と考えられる。しかし、i層を高温で製膜する場合、バンドギャップやバンドテイル、欠陥等の物性パラメーターが同時に変化し、さらに下地層への作用も含まれるため、それぞれの物性パラメーターの変化がセル特性に与えるインパクトを分離して評価することが困難である。本研究ではa-Si:H太陽電池の各層（p,i,n層）の積層前後にアニール（>200°C）を施し、その際に変化する各層の物性パラメーターや下地層に与える影響を評価することで、セル特性（V_oc、FF）のロス解析を試みた。