[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-11] FNストレスによるSiC-MOSFETゲート電流の特異な挙動

古市 貴大¹、三原 佳樹¹、桝口 和樹¹、〇村上 英一¹ (1.九産大工)

キーワード：SiC-MOSFET、FNストレス、FNトンネル電流

市販のSiC-MOSFETにFNストレスを印可した時のゲート電流の挙動を、RTと200℃で比較した。RTで初期の増加のみ見られたのに対し、200℃では特異的に連続的な電流増加が見られた。200℃で放置すると減少したが、-60℃に急冷して測定すると初期に比べ増加していた。また、電子をデトラップする処理をしても変化は見られなかった。以上の現象を電子orホール捕獲状態でのトンネル透過率計算から考察した。